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4英寸单抛硅片
4英寸单抛硅片
  • 商品货号:ENT000136
    商品库存: 1000
  • 商品品牌:十一维
    商品重量:10克
  • 上架时间:2020-04-03
    商品点击数:273
    累计销量:0
  • 商品总价: 询价
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商品描述:

商品属性

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 研磨硅片:Prime 级别原研磨片,电学性能优良,电阻率准确、均匀性、平整性好,少子寿命高,无裂纹,无硬伤,无硬洞,无崩边,品质保证,种类繁多,库存充足,同时可为客户提供,激光切割、激光刻字、硅片开孔、氧化、镀膜、清洗、光刻、刻蚀等全方位工艺代加工服务;

工艺参数:平整度TIR:≤3μm 翘曲度TTV: ≤10μm Bow/Warp≤40μm 、粗糙度≤0.5nm
 
  
抛光硅片:高纯度(11N1-12英寸单、双抛直拉单晶抛光片。
尺寸:1" 2" 3" 4" 5" 6" 8" 12" 以及特殊尺寸和规格硅片。
表面:单抛片、双抛片、研磨片、腐蚀片、切割片。
晶向:<100> \ <111>\ <110>\ <211>\ <511> 以及各种偏角度的硅片。
厚度:100um 200um 300um 400um 500um 1mm 5mm等各种厚度,厚度公差+-10um, TTV< 10um或按客户要求。
导电类型:N-type P-typeundope (本征高阻)。
单晶方式:直拉(CZ)、区熔(FZ)、NTD(中照)。
电阻率:重掺最低可达 <0.001 ohm.cm 低掺常规1~10 ohm.com  中照常规500~800ohm.cm,区熔本征:> 1000 ohm.cm >3000 ohm.cm >5000 ohm.cm>8000 ohm.cm>10000 ohm.cm。
氧化硅片:热氧化物表面形成二氧化硅层。在氧化剂的存在下在升高的温度下,给过程称为热氧化。通常生长热氧化层的在水平管式炉中。温度范围控制在9001200摄氏度,使用湿法或者干法的生长方法。热氧化物是一种生长的氧化物层。相对于CVD法沉积的氧化物层,它具有较高的均匀性和更高的介电强度。这是一个很好的作为绝缘体的介电层。大多数硅为基础的设备中,热氧化层都扮演着非常重要的角色,以安抚硅片表面。作为掺杂障碍和表面电介质。
 
 
               
 

应用范围
1、
刻蚀率测定
2、
金属打线测试
3、
金属晶圆
4、
电性绝缘层
单面抛光+双面氧化:50nm 100nm 200nm 285nm 300nm 500nm 1000nm 2000nm
单面抛光+单面氧化:100nm 200nm 285nm 300nm 500nm 1000nm 2000nm 
双面抛光+双面氧化:100nm 200nm 300nm 500nm 1000nm 2000nm
单面抛光+单面氧化,双面抛光+单双面氧化,本征氧化硅片、超薄、超厚氧化硅片,均可定制。
各种特殊厚度/各种电阻率、晶向均可定制加工;单双面氧化,衬底、氧化层厚度不同,价格有所不同;
我公司可为客户订制不同参数的二氧化硅氧化片,质量优良;氧化层厚度、致密性、均匀性和电阻率晶向等参数均按照国标执行。

:我司代理加工硅片拉晶、切割、研磨、抛光、镀膜氧化等工序欢迎来电咨询及加工。

 
包装方式:超洁净铝箔真空封装10片包装、25片包装
加工定制:型号、晶向、厚度、电阻率等加工时间根据不同规格参数略有不同
用途介绍:用于工艺等同步辐射样品载体、PVD/CVD镀膜做衬底、磁控溅射生长样品、XRDSEM原子力、红外光谱、荧光光谱等分析测试基底、分子束外延生长的基底、X射线分析晶体半导体
 
 

 

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