研磨硅片：Prime 级别原研磨片，电学性能优良，电阻率准确、均匀性、平整性好，少子寿命高，无裂纹，无硬伤，无硬洞，无崩边，品质保证，种类繁多，库存充足，同时可为客户提供，激光切割、激光刻字、硅片开孔、氧化、镀膜、清洗、光刻、刻蚀等全方位工艺代加工服务；

工艺参数：平整度TIR:≤3μm 、翘曲度TTV: ≤10μm 、Bow/Warp≤40μm 、粗糙度≤0.5nm

 

  

抛光硅片：高纯度（11N）1-12英寸单、双抛直拉单晶抛光片。

尺寸：1" 2" 3" 4" 5" 6" 8" 12" 以及特殊尺寸和规格硅片。

表面：单抛片、双抛片、研磨片、腐蚀片、切割片。

晶向：<100> \ <111>\ <110>\ <211>\ <511> 以及各种偏角度的硅片。

厚度：100um 200um 300um 400um 500um 1mm 5mm等各种厚度，厚度公差+-10um, TTV< 10um或按客户要求。

导电类型：N-type、 P-type、undope (本征高阻)。

单晶方式：直拉（CZ）、区熔（FZ）、NTD（中照）。

电阻率：重掺最低可达 <0.001 ohm.cm， 低掺常规1~10 ohm.com ， 中照常规500~800ohm.cm，区熔本征：> 1000 ohm.cm， >3000 ohm.cm， >5000 ohm.cm，>8000 ohm.cm，>10000 ohm.cm。

氧化硅片：热氧化物表面形成二氧化硅层。在氧化剂的存在下在升高的温度下，给过程称为热氧化。通常生长热氧化层的在水平管式炉中。温度范围控制在900到1200摄氏度，使用湿法或者干法的生长方法。热氧化物是一种生长的氧化物层。相对于CVD法沉积的氧化物层，它具有较高的均匀性和更高的介电强度。这是一个很好的作为绝缘体的介电层。大多数硅为基础的设备中，热氧化层都扮演着非常重要的角色，以安抚硅片表面。作为掺杂障碍和表面电介质。

 

 

               

 

应用范围：
1、刻蚀率测定
2、金属打线测试
3、金属晶圆
4、电性绝缘层
单面抛光+双面氧化：50nm 100nm 200nm 285nm 300nm 500nm 1000nm 2000nm
单面抛光+单面氧化：100nm 200nm 285nm 300nm 500nm 1000nm 2000nm 
双面抛光+双面氧化：100nm 200nm 300nm 500nm 1000nm 2000nm
单面抛光+单面氧化，双面抛光+单双面氧化，本征氧化硅片、超薄、超厚氧化硅片，均可定制。
各种特殊厚度/各种电阻率、晶向均可定制加工；单双面氧化，衬底、氧化层厚度不同，价格有所不同；
我公司可为客户订制不同参数的二氧化硅氧化片，质量优良；氧化层厚度、致密性、均匀性和电阻率晶向等参数均按照国标执行。

另:我司代理加工硅片拉晶、切割、研磨、抛光、镀膜氧化等工序欢迎来电咨询及加工。

 

包装方式：超洁净铝箔真空封装10片包装、25片包装

加工定制：型号、晶向、厚度、电阻率等加工时间根据不同规格参数略有不同

用途介绍：用于工艺等同步辐射样品载体、PVD/CVD镀膜做衬底、磁控溅射生长样品、XRD、SEM、原子力、红外光谱、荧光光谱等分析测试基底、分子束外延生长的基底、X射线分析晶体半导体