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 二硒化钼

 

二硒化钼的简介

 

答:块体过渡金属硒化钼(MoSe2) 材料呈典型层状三明治结构,容易剥离为单层或几层的MoSe2二维晶体。研究发现,块体MoSe2成为单层或数层MoSe2 时,其电子带隙

由原来的间接带隙(1.1 eV)转变为直接带隙(1.55 eV) 直接带隙半导体材料-般具有较高的光电转换效率,因此单层硒化钼可用于制备高效率的光电子器件。另外,硒化钼单

层片呈立体多孔结构,具有良好的结构刚性,可显著提高器件的热学和力学等性能。因此,MoSe2二维晶体将在太阳电池、光催化剂、光电晶体管、发光二极管和光调制器

等领域都具有广阔的应用前景。

 

[1]张强, 马锡英. 二维硒化钼薄膜的研究进展[J]. 微纳电子技术, 2016, 53(11):719-725.

 

 

 

二硒化钼的制备方法?

 

答:单层MoSe2典型的制备方法主要有机械剥离法、热化学气相沉积法以及分子束外延法等。

1)机械剥离法

这种方法一般是通过热氧化法在硅衬底上得到块状硒化钼,再通过机械剥离方法,得到需要的硒化钥薄层。剥离方法可以参考传统的石墨烯透明胶带剥离法:剥离前先通过计算机精确计

算剥离厚度和剥离速度;剥离时应确保环境绝对干净,温度稳定,受力均匀,从而使制备的样品具有研究价值。剥离完成后利用原子力显微镜、扫描电子显微镜和喇曼光谱等对获得的薄

层的厚度与光电特性等方面进行测试分析。

2)热化学气相沉积法

相对而言,热化学气相沉积方法是一种简单有效制备二维材料的方法,这种方法可减少剥离法制备的单层材料在转移过程中产生折叠及非均匀性覆盖等问题。J.Shaw等人[]MoO,Se

粉为原料,Ar气与H2混合气体为携载气体,利用热化学气相沉积法,750 C下在SiO2/Si基底上生长了单层、多层MoSe2薄膜,并利用原子力显微镜观察了样品的厚度(h)及表面形貌,发现

利用化学气相沉积法制备的薄膜能够形成大面积均匀的MoSe2薄膜,其生长呈显著的三角形堆叠层状生长模式。单层MoSe2薄膜的厚度为0. 7~1.0 nm。拉曼光谱分析发现,单层MoSe2

A1k振动模式出现在拉曼位移为241.7 cm~1处,与机械剥离出来的双层MoSe2的喇曼位移(242. 1 cm~') 非常接近,该微小差异主要源于范德瓦尔斯力相互作用引起的晶格层间微小变化。

他们还利用光致发光谱观察到单层MoSe2薄膜在1.55eV处具有较强的发光峰,而双层MoSe2薄膜的发光峰则很弱。这种生长MoSe2单层材料的方法简单,可以弥补二维材料合成技术方面

的一些不足。

3)分子束外延法

分子束外延技术(MBE)是可以在整个晶圆.上外延生长薄膜的方法,可以获得大面积均匀原子层超薄MoSe2的薄膜。D. Tsoutsou等人利用MBE方法在AIN衬底上生长了超薄MoSez薄膜,并

研究了与TaSe2材料的接触特性。发现单层MoSe2/TaSe2可以形成良好的线性接触,从而可用于制备超薄、高介电常数的晶体管等器件。

 

[1]张强, 马锡英. 二维硒化钼薄膜的研究进展[J]. 微纳电子技术, 2016, 53(11):719-725.

 

 

 

CVD二硒化钼的应用领域,科研及工业

 

答:MoSe2材料所具有的电学特性将会得到更深层次的挖掘,会部分替代硅在半导体产业中的作用。另外,对单层、数层MoSe2在晶体管、光探测器等应用领域的研究也才刚刚起步,在

未来光电探测领域会是MoSe2材料的主要发展领域,而其他领域的应用研究则更是很少,需要进一步拓宽MoSe2的应用领域,使其在更广泛的领域得到应用。

 

[1]张强, 马锡英. 二维硒化钼薄膜的研究进展[J]. 微纳电子技术, 2016, 53(11):719-725.

 

 

 

不同层数二硒化钼的差别?

 

答:应用蓝宝石飞秒振荡器产生的飞秒脉冲照射样品使不同层数的MoSe2样品产生二次谐波,脉冲作用时间不超过100 fs,光斑直径约为1.4 um。观察未掺杂单、双和三层MoSe2样品的激

光停止照射后二次谐波强度的时间分辨谱可知,数层MoSe2的二次谐波强度对化学掺杂非常灵敏,双层和三层的二次谐波比单层的信号更强。

 

[1]张强, 马锡英. 二维硒化钼薄膜的研究进展[J]. 微纳电子技术, 2016, 53(11):719-725.

 

 

 

 

 
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